《表1 Si、GaAs、GaN和SiC等半导体材料特性对比》

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《简析碳化硅在半导体行业中的发展潜力》

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碳化硅材料具有优良的热力学和电化学性能。在热力学方面，碳化硅硬度在20℃时高达莫氏9.2-9.3，是最硬的物质之一，可以用于切割红宝石；导热率超过金属铜，是Si的3倍、GaAs的8-10倍，且其热稳定性高，在常压下不可能被熔化。在电化学方面，碳化硅具有宽禁带、耐击穿的特点，其禁带宽度是Si的3倍，击穿电场为Si的10倍；且其耐腐蚀性极强，在常温下可以免疫目前已知的所有腐蚀剂[1，2]。表1为几种常用半导体材料的特性对比。