《表1 常见半导体材料的物理特性》

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《锗(Ge)基先进场效应晶体管技术研究进展》

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如表1所示，Ge材料同时具有高电子、空穴迁移率，能够获得高性能CMOS（complementary meta oxide semiconductor）电路.其次，Ge具有与Si相同的晶体结构和类似的物理、化学性质，易于与目前的Si基集成电路制造工艺兼容.因此，Ge被认为是有希望取代Si作为器件沟道的候选材料.然而高迁移率新沟道材料Ge器件相关的诸多关键科学和工程问题仍未得到彻底解决，从基本的器件制备工艺技术到深层次的器件物理问题都亟待深入研究.本文将从栅极堆垛工程、源漏制备技术、新器件结构3个方面论述Ge MOSFET近年来的研究进展.