《表1 常用半导体材料特性参数比较[6]》

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《SiC功率器件在轨道交通行业中的应用》

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SiC由硅原子和碳原子组成，与硅材料相比，SiC材料具有宽禁带、高击穿场强、较快的饱和电子漂移速率、较小的介电常数和较大的热导率等优势。表1对比了不同SiC材料、砷化镓材料及硅材料这几种常用半导体材料的特性参数[6]，可以看出与硅和化合物半导体砷化镓相比，SiC材料典型特征为具有更大的禁带宽度，其禁带宽度大约是硅材料的3倍，除此之外，SiC材料的热导率约是硅材料的3倍，击穿场强是硅材料的10倍，电子饱和漂移速率是硅材料的2.5倍[6]。