《表1 几种半导体材料特性比较》

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《碳化硅材料研究现状与应用展望》

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电学性能:4H-Si C和6H-Si C带隙约是Si的3倍，是Ga As的2倍；其击穿电场强度高于Si一个数量级，饱和电子漂移速度是Si的2.5倍。4H-Si C的带隙比6H-Si C更宽。表1为几种半导体材料特性比较。