《表3 B组各样品生长条件》

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《Si衬底GaN外延生长的应力调控》

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通过多缓冲层厚度的优化，Ga N可以长至一定厚度无裂纹，但还未能满足器件应用的厚度要求。为了进一步提高无裂纹Ga N的生长厚度，B组试验在Ga N的生长中设计低温Al N插入层，各样品的生长设计如表3所示。