《表1 不同刻槽深度、不同退火条件的A、B、C样品分组》

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《GaN基低温无金欧姆接触电极制备及应用》

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为分析欧姆前刻槽深度和退火合金条件对Si衬底AlGaN/GaN异质结欧姆接触特性的影响，分别制备了不同欧姆前刻槽深度、不同退火条件的A、B、C三组样品，样品的设置如表1所示。完成样品的制备后，利用PG2000半导体测试系统对样品的电流-电压特性进行测试，采用TLM方法计算样品的比接触电阻率，电极间距为10~50μm。采用扫描电镜（SEM）分析欧姆接触的截面形态，并利用金相显微镜观察样品金属的表面形貌。