《表1 半导体材料特性比较》

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《GaN HEMT预充电式驱动电路设计》

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Si和GaN两种半导体材料典型特性如表1所示。相对于Si材料，Ga N材料具有较大的禁带宽度，临界击穿场强也更高，大的电子迁移率是GaN HEMT能快速通断的材料基础。图1所示为Si和GaN器件的结构对比。图1(a）中Si MOSFET采用纵向结构来提高功率管的耐压能力，而图1(b）中GaN HEMT则采用横向结构提高耐压能力。同时，GaN材料具有较大的禁带宽度，这导致引起雪崩击穿时更高的临界击穿电场，因此GaNHEMT拥有更高耐压强度。图1(b）中GaN HEMT中存在由AlGaN和GaN材料形成的异质结界面，在该界面处有很高浓度的二维电子气（2DEG），使得GaN HEMT具有更快的开关速度[9]。