《表1 样品参数设置:基于低能电子束的绝缘物-半导体样品放电特性研究》
以SiO2-Si样品作为研究对象,样品参数设置如表1所示。
图表编号 | XD00115157500 严禁用于非法目的 |
---|---|
绘制时间 | 2019.12.01 |
作者 | 霍志胜、蒲红斌、余宁梅、李维勤 |
绘制单位 | 西安理工大学自动化与信息工程学院、西安理工大学自动化与信息工程学院、西安理工大学自动化与信息工程学院、西安理工大学自动化与信息工程学院 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |
以SiO2-Si样品作为研究对象,样品参数设置如表1所示。
图表编号 | XD00115157500 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.12.01 |
作者 | 霍志胜、蒲红斌、余宁梅、李维勤 |
绘制单位 | 西安理工大学自动化与信息工程学院、西安理工大学自动化与信息工程学院、西安理工大学自动化与信息工程学院、西安理工大学自动化与信息工程学院 |
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