《表1 半导体材料的特性参数》

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《太赫兹固态放大器研究进展》

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按照时间顺序，可以将以Ge、Si为代表的半导体划为第一代半导体，第一代半导体以大的晶体尺寸和窄的线条宽度为技术水平标志，其产品以大规模、超大规模集成电路为代表，覆盖了绝大部分的电子产品，推动了信息社会的快速发展。以砷化镓（GaAs）、InP等Ⅲ-Ⅴ族化合物为代表的半导体可以划为第二代半导体，第二代半导体以通信速度、信息容量和存储密度为技术水平标志，其产品形式以微波、光发射和接收器件为主，大大推动了微波、光通信产业的发展。以碳化硅（SiC）、GaN、氮化铝（AlN）以及金刚石为代表的化合物可以划为第三代半导体，第三代半导体主要以宽禁带材料为主，禁带宽度一般介于2 eV～7 eV之间。表1列出了Si、锗化硅（SiGe）、GaAs、InP以及GaN半导体材料的特性参数，可以看出，与第一代、第二代半导体相比，由于固有的宽禁带宽度、高热导率、高二维电子气浓度、快的电子迁移率、高的击穿电场等特性，使得以宽禁带半导体材料为基础的第三代半导体器件具有大功率密度、抗辐射、耐高温、超高频等优异性能[7-8]。