《表1 SiC与Si和GaAs的物理特性参数比较》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《宽禁带碳化硅单晶衬底及器件研究进展》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

SiC晶体结构决定了其独特的物理、化学性质（表1）[3]。相对于Si和GaAs，SiC拥有更为优越的物理性质；禁带宽度大，接近于Si的3倍，保证器件在高温工作下的长期可靠；击穿场强高，是Si的10倍，保证器件耐压容量，提高器件的耐压值；饱和电子速率大，是Si的2倍，增加器件的工作频率和功率密度；热导率高，超过Si的3倍，增加了器件的散热能力，实现设备的小型化等。