《表2 变压器等效参数：基于GaN HEMT的双向DC-DC变换器系统损耗分析》
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《基于GaN HEMT的双向DC-DC变换器系统损耗分析》
利用变压器综合测试仪TH2829LX，在频率为20 kHz、测试电压为1 V条件下测得变压器一、二次侧的励磁阻抗和漏磁阻抗，如表2所示。
| 图表编号 | XD00172762900 严禁用于非法目的 |
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| 绘制时间 | 2020.04.25 |
| 作者 | 高圣伟、祁树岭、孙醒涛、贺琛、董晨名 |
| 绘制单位 | 天津工业大学电工电能新技术天津市重点实验室、天津金沃能源科技股份有限公司、天津工业大学电工电能新技术天津市重点实验室、天津金沃能源科技股份有限公司、天津工业大学电工电能新技术天津市重点实验室、天津工业大学电工电能新技术天津市重点实验室、天津金沃能源科技股份有限公司、天津金沃能源科技股份有限公司 |
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