《表1 InN, AlN, GaN材料参数[15, 20, 21]》

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《AlGaN插入层对InAlN/AlGaN/GaN异质结散射机制的影响》

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其中e为电子电荷；dAlGaN为AlGaN层厚度；?Ec1为InAlN/AlGaN界面（z=-dAlGaN）的导带剪切量，?Ec2为AlGaN/GaN界面（z=0）的导带剪切量，二者由界面两侧材料的电子亲和能决定（见表1）；Θ（z）为阶跃函数，当z 0，Θ（z）=1，当z<0，Θ（z）=0.静电势Φ（z）由泊松方程得到，