《表1 耗尽型GaN器件的主要参数》
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采用600 V耗尽型GaN器件，不仅具有低导通电阻、低输入电容的特点，且其栅源耐压范围更大，表1给出了器件的主要参数。
| 图表编号 | XD0057221600 严禁用于非法目的 |
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| 绘制时间 | 2019.05.01 |
| 作者 | 潘溯、胡黎、冯旭东、张春奇、明鑫、张波 |
| 绘制单位 | 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室、电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室、电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室、电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室、电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室、电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 |
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