《表1 Cree公司耗尽型GaN FET的参数》

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《GaN FET的结构、驱动及应用综述》

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目前，生产耗尽型GaN FET的公司主要有美国Cree，其产品主要的参数如表1所示，为推广耗尽型GaNHEMT的应用，Transphorm公司推出了Cascode结构的GaN FET。从表1可知Cree公司的GaN FET的阈值电压为负值，充分体现了它在零栅压下的常通特性。