《表4 GaN FET变换器的其他应用》

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《GaN FET的结构、驱动及应用综述》

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通过对GaN FET的器件结构、驱动电路以及应用的研究，可以看出只要解决GaN FET高频下独特的栅极振荡问题，就能极大地推动它的发展。一般可从两方面着手，一是设计性能更好的器件结构；二是设计更合理的驱动电路。虽然GaN FET目前在中小功率场合更有优势，但未来，随着对Ga N FET性能的不断改进和提高，更多大功率场合也必然有Ga N FET的一席之地。