《表2 器件TTF推算：部分耗尽SOI MOSFET NBTI效应研究》
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图6中，横坐标为对数等间隔的时间坐标，纵坐标为阈值电压漂移量对数，可以非常明显地看出，随着试验时间的推移，阈值电压的漂移量逐渐增大。得到的关系表达式见表2，并由表达式计算当ΔVth=0.1V时的器件寿命TTF。
| 图表编号 | XD00118663500 严禁用于非法目的 |
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| 绘制时间 | 2020.01.25 |
| 作者 | 王成成、周龙达、蒲石、王芳、杨红、曾传滨、韩郑生、罗家俊、卜建辉 |
| 绘制单位 | 中国科学院微电子研究所、中国科学院硅器件技术重点实验室、中国科学院微电子研究所、中国科学院大学、航空工业西安航空计算技术研究所、中国科学院微电子研究所、中国科学院硅器件技术重点实验室、中国科学院微电子研究所、中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室、中国科学院微电子研究所、中国科学院硅器件技术重点实验室、中国科学院微电子研究所、中国科学院硅器件技术重点实验室、中国科学院大学、中国科学院微电子研究所、中国科学院硅器件技术重点实验室、中国科学院微电子研究所、中国科学院硅器件技术重点实验室 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
