《表1 Vgs电压范围：部分耗尽SOI MOSFET NBTI效应研究》
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试验中需要测量的器件特性曲线为转移曲线Id-Vg，进而得到阈值电压值。其中Vds=-0.1V，由于采用的是快速测试方法，Vgs范围为涵盖阈值电压在内的电压区间，不同应力条件组合下的Vgs范围见表1。
| 图表编号 | XD00118663300 严禁用于非法目的 |
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| 绘制时间 | 2020.01.25 |
| 作者 | 王成成、周龙达、蒲石、王芳、杨红、曾传滨、韩郑生、罗家俊、卜建辉 |
| 绘制单位 | 中国科学院微电子研究所、中国科学院硅器件技术重点实验室、中国科学院微电子研究所、中国科学院大学、航空工业西安航空计算技术研究所、中国科学院微电子研究所、中国科学院硅器件技术重点实验室、中国科学院微电子研究所、中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室、中国科学院微电子研究所、中国科学院硅器件技术重点实验室、中国科学院微电子研究所、中国科学院硅器件技术重点实验室、中国科学院大学、中国科学院微电子研究所、中国科学院硅器件技术重点实验室、中国科学院微电子研究所、中国科学院硅器件技术重点实验室 |
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