《表2 验证试验工况：基于全SiC MOSFET的轨道交通牵引逆变器高频负面效应分析及其应对策略》

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《基于全SiC MOSFET的轨道交通牵引逆变器高频负面效应分析及其应对策略》

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以某城轨变流器模组作为具体的承载平台，搭建基于Si基IGBT器件（FZ800R33KF2C）和全Si C MOSFET(FMF750DC66A）的试验系统，进行电压和电流对比测试，试验条件如表2所示。