《表1 模型参数:SiC MOSFET的Saber建模及其在光伏并网逆变器中的应用和分析》
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《SiC MOSFET的Saber建模及其在光伏并网逆变器中的应用和分析》
建模过程中所需设定的各个参数值见表1,SiC MOSFET的各个寄生电感值可由器件数据手册获取。采用上述方式对Si C MOSFET进行建模后,即可将其运用于各种复杂拓扑的变换器设计或研究中。
图表编号 | XD00100507000 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.10.25 |
作者 | 周林、李寒江、解宝、李海啸、聂莉 |
绘制单位 | 输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室(重庆大学)、输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室(重庆大学)、输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室(重庆大学)、输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室(重庆大学)、输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室(重庆大学) |
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