《表3 双脉冲测试数据：基于SiC MOSFET的电力电子变压器双有源桥功率模块设计》
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《基于SiC MOSFET的电力电子变压器双有源桥功率模块设计》
通过双脉冲测试，可得Si C MOSFET的开关损耗、开关尖峰、电压与电流变化率等参数，详见表3和图10。
| 图表编号 | XD00128182800 严禁用于非法目的 |
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| 绘制时间 | 2019.12.25 |
| 作者 | 张茂强、王子龙、汪涛、文继锋 |
| 绘制单位 | 南京南瑞继保电气有限公司、南京南瑞继保电气有限公司、南京南瑞继保电气有限公司、南京南瑞继保电气有限公司 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
