《表3 器件TTF推算：部分耗尽SOI MOSFET NBTI效应研究》
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由表2温度T=225℃下的三个栅压的TTF可以得出Vg与TTF之间（x-lg Vg，y-lgTTF）的曲线拟合结果，如图7所示，关系表达式见表3。代入Vg=-5V得到器件失效情况ΔVth=0.1V、T=225℃、Vg=-5V时的器件寿命TTF约为1.7年。按照相同方法，T=175℃条件失效情况下的器件寿命TTF约为31.3年。
| 图表编号 | XD00118663800 严禁用于非法目的 |
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| 绘制时间 | 2020.01.25 |
| 作者 | 王成成、周龙达、蒲石、王芳、杨红、曾传滨、韩郑生、罗家俊、卜建辉 |
| 绘制单位 | 中国科学院微电子研究所、中国科学院硅器件技术重点实验室、中国科学院微电子研究所、中国科学院大学、航空工业西安航空计算技术研究所、中国科学院微电子研究所、中国科学院硅器件技术重点实验室、中国科学院微电子研究所、中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室、中国科学院微电子研究所、中国科学院硅器件技术重点实验室、中国科学院微电子研究所、中国科学院硅器件技术重点实验室、中国科学院大学、中国科学院微电子研究所、中国科学院硅器件技术重点实验室、中国科学院微电子研究所、中国科学院硅器件技术重点实验室 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
