《表1 取向因子：三维功率MOSFET器件的热可靠性设计》

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《三维功率MOSFET器件的热可靠性设计》

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式中:Δμμ为载流子迁移率变化量；Π为器件的压阻系数；σrr为径向热应力；β（θ）为取向因子，如表1所示[11]。一般情况下，N沟道MOSFET和P沟道MOSFET的压阻系数分别为-31×10-11Pa-1和71.8×10-11Pa-1。