《表2 考虑各向异性时的NMOS和PMOS的KOZ》

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《三维功率MOSFET器件的热可靠性设计》

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本文用多物理场仿真软件Comsol对干法刻蚀形成的圆柱形散热通孔结构的热应力进行了仿真分析，主要考虑400℃下的冯米斯（Von Mises Stress）热应力分布情况，并根据载流子迁移率变化量5%的KOZ标准和式（1）在两个最坏的的方向（θ=0°和θ=90°）估算了功率块与散热硅通孔间的安全距离。表2是散热硅通孔深度为200μm，直径分别为10μm，20μm，30μm，40μm，50μm和60μm时，周围能安全放置功率器件的最小距离。