《表2 H型NMOS关态电流变化》
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《深亚微米SOI工艺NMOS器件瞬时剂量率效应数值模拟》
通过三维数值模拟,H型NMOS在关态时漏电流变化和体接触端电流峰值如表2所示。
图表编号 | XD001172100 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.12.06 |
作者 | 薛海卫、张猛华、杨光安 |
绘制单位 | 中国电子科技集团公司第五十八研究所、中国电子科技集团公司第五十八研究所、东南大学 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |