《表1 H型NMOS开态电流变化》
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《深亚微米SOI工艺NMOS器件瞬时剂量率效应数值模拟》
H型NMOS在开态时漏电流变化率和体接触端电流峰值如表1所示。
| 图表编号 | XD001172000 严禁用于非法目的 |
|---|---|
| 绘制时间 | 2019.12.06 |
| 作者 | 薛海卫、张猛华、杨光安 |
| 绘制单位 | 中国电子科技集团公司第五十八研究所、中国电子科技集团公司第五十八研究所、东南大学 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
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