《表1 某物联网射频应用芯片对1.5 V MOSFET器件 (W/L=10μm/0.13μm) 的性能要求》

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《基于0.13μm工艺的1.5V低功耗MOSFET器件设计》

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某超高频RFID技术研究项目需要对目前0.13μm Advance工艺平台（基于传统0.13μm逻辑工艺的进阶版本，具有低漏电、缩小器件面积的优点）1.5 V N-MOSFET和P-MOSFET的功耗做一定优化，具体要求如表1所示。