《表1 背栅实验背栅开启电压变化情况》

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《抗辐射高压SOI埋氧总剂量效应研究》

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在原理上验证了采用抗总剂量辐射加固工艺的可行性后，我们为了实际验证其集成后的MOS器件的埋氧层抗辐射性能的改善情况，采用了简化的背栅NMOS器件，测试其背栅的Id-Vg曲线，收集背栅阈值电压在辐射条件下的漂移情况，验证辐射CV实验的结果。实验结果中背栅开启电压汇总见表1，图3表示简化背栅器件的背栅阈值电压在辐射条件下随辐射总剂量的变化情况，横坐标表示辐射总剂量，纵坐标表示背栅阈值电压（阈值电压采用Id=1×10-9A的背栅电压）。