《表2 实验器件的主要开启特性参数》

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《高速小回滞双向SCR的ESD防护器件设计》

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根据上述定义，实验器件触发开启的响应区域如图6中的虚线框所示.将DUT2和DUT3响应区域放大，如图6中右上方内插图所示.可以发现，与DUT1相比，DUT2和DUT3的Ton明显较短，器件开启速度快.从图6中提取的关键开启特性参数列于表2.与DUT1相比，由于DUT2和DUT3中内嵌PMOS结构的辅助触发，Ton分别大幅缩小至13.4 ns和12.6 ns.与DUT1相比，DUT3的开启速度提高了约71.5%.此外，虽然DUT3与SSSCR的Ton相接近，但是，DUT3的过击穿电压较低，且导通电阻较小，因此具有更好的ESD防护功能.