《表1-1V偏压下器件的特性参数》

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《宽光谱高比探测率有机光电探测器》

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从图8可以看出采用MoO3修饰层后器件的暗电流得到有效抑制.MoO3厚度在10nm时暗电流降低为2.00×10-8 A·cm-2，较PEDOT∶PSS修饰的器件（1.63×10-6 A·cm-2）降低了两个数量级.其原因有二，一是由于MoO3的导带为-2.3eV，增大了从ITO注入的电子势垒[23]，如图1（b）.二是并联电阻的提高，PEDOT∶PSS和10nm MoO3修饰的器件它们的并联电阻分别为6.14×105Ω·cm2、5×107Ω·cm2.此外，还发现暗电流随着MoO3厚度的增加先减小后增大.为了究其变化的真正原因，制备了ITO/MoO3（5nm，10nm，25nm）/Al不同厚度的简单器件，其J-V特性如图9.从图9可以看到，随着MoO3厚度的增加，MoO3薄膜的电阻先增大后减小，这是由于在厚度小于10nm时，因MoO3薄膜较薄存在许多针孔[24]，未能形成完整的MoO3势垒层，阻挡电子能力（图1 （b）） 差，故并联电阻小，暗电流大；在厚度大于10nm时，因MoO3薄膜较厚在生长过程表面出现许多尖峰凸起[25]，Al电极与MoO3接触面积增大，并联电阻减小导致暗电流增大.因此可知，B组器件暗电流随MoO3厚度变化的原因在于MoO3较薄时未能形成完整的电子势垒层；较厚时表面出现许多尖峰凸起，电子输运通道面积增大所致.这也与文献[25]得出的结论相一致.由以上分析可确定MoO3作阳极缓冲层时的最优厚度为10nm，器件的三基色特性参数以及J-V特性分别如表1和图8.在偏压为-1V时，经10nmMoO3修饰的器件虽然三基色平均光响应度R降低了2倍，但平均暗电流降低了两个数量级，从而使得线性范围LDR和比探测率D*大幅度的提高，使得三基色平均LDR和平均D*分别提高了2倍和1个数量级.