《表1-2V偏压下器件A和C的性能参数》

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《基于双掺杂C_(60):DDQ陷阱的倍增型有机光电探测器》

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以上分析可以看出，双掺杂方法可以改善因单一陷阱聚集而对器件性能产生的不良影响，增加了活性层中的陷阱数量，来俘获更多的载流子，从而降低势垒宽度，提高了外电路电荷的注入效率，大大改善了器件的光电特性.根据器件性能参数的计算公式，器件A、C在-2 V偏压下的性能参数如表1所示.器件C的R、EQE和D*分别比器件A高～10倍、～10倍和～6倍.