《表1 器件A-D的性能参数》
器件A-D的J-V-L和E-J特性曲线如图4.在相同电压下,蓝光器件A发光强度比器件B、C和D均高,且四种器件的J-V差异性较小.这是由于CCL制备在ITO玻璃衬底背面,DCJTB的浓度变化对器件的J-V曲线无影响,而器件B、C和D出光面的CCL吸收了部分蓝光光子降低了器件部分亮度.因此,采用CCL结构的WOLED是由单色光器件牺牲部分效率转换为显色性能而实现.当DCJTB浓度为0.7%、1.0%和1.5%时,器件B、C和D的最大亮度分别是4 718cd·m-2、5 265cd·m-2和3 269cd·m-2;最大电流效率分别为11.5cd·A-1、13.4cd·A-1和10.7cd·A-1.结果表明,可通过改变CCL中DCJTB的浓度来调节WOLED器件性能,当DCJTB浓度为1.0%时,器件性能最佳.器件A、B、C和D的部分性能参数如表1.
图表编号 | XD0063365500 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.06.01 |
作者 | 谢嘉凤、王振、陈爱、王培、肖飞、陈家雯、卢永生、张文霞、王玉婵 |
绘制单位 | 重庆邮电大学光电工程学院、重庆邮电大学光电工程学院、重庆邮电大学光电工程学院、重庆邮电大学光电工程学院、重庆南岸教师进修学院、重庆邮电大学光电工程学院、重庆邮电大学光电工程学院、重庆邮电大学光电工程学院、重庆邮电大学光电工程学院 |
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