《表1 器件的横向尺寸参数》

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《内嵌PMOS的高维持电压LVTSCR设计》

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为得到器件的ESD防护性能，本文采用Sentaurus TCAD模拟0.18μm CMOS工艺进行器件的ESD仿真，使用的物理模型包含有带隙变窄模型、雪崩模型、SRH复合模型和俄歇复合模型等。N-LVTSCR和EP-LVTSCR器件的横向尺寸参数如表1所示，面积大小相同。