《表2 可配置SRAM单元器件尺寸》

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《一种用于FPGA的片上可配置SRAM设计》

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当存储单元中存储数据1，Q节点存储VDD电平，QN节点存储GND电平，写字线WLA被驱动到高电平，打开写访问管MN2和MN3；写位线BLA/BLAN被驱动到VDD/VDD，写位线BLAN通过写访问管MN3将对QN节点充电，将QN电平上拉。由于BLA为VDD电平，所以Q节点电平VDD保持不变。Q点高电平使得下拉管MN0导通，对QN节点放电，将QN节点电平下拉。从图2和表2中的晶体管尺寸可知，下拉管MN0的尺寸要大于写访问管MN3的尺寸。所以，QN一直保持较低的电平，不会发生翻转。在写操作结束后，访问管MN2/MN3关闭，QN的电平恢复到GND，存储单元的数据保持不变。