《表1 对比总结：一种新型亚阈值SRAM单元设计》

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《一种新型亚阈值SRAM单元设计》

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5种单元各种指标的仿真对比总结见表1，可以看出新型12T单元集合了其他4种单元的各种优点，很好地均衡了稳定性、写能力、漏电与访问速度，并且同时具有位线漏电补偿和适用与位交织的特性。