《表2 新型和其他已量产SRAM面积对比》

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《一种读写分离结构的SRAM译码器设计》

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在相同40 nm超低电压CMOS工艺下，将使用新型译码器结构的SRAM与行业中已量产SRAM性能数据进行对比。分析表2数据可以得出，在具有相同存储单元数目的条件下，新型译码器SRAM无论在words或者bits较大的情况下，都实现了减小版图面积的目的。