《表2 器件关键尺寸对维持电压的影响》
式中:De,Db为晶体管发射极和基极的扩散系数;Wb和We为基极宽度与发射极宽度;Nb和Ne为基极与发射极的掺杂浓度[12]。由式(2)可知,增加晶体管的基区宽度,可以降低发射效率,电流增益也会随之降低,器件的维持电压则会提高。所以调节EP-LVTSCR的D8尺寸为1.5μm,2.6μm,4.2μm,相应N-LVTSCR的D9尺寸为3.3μm,4.4μm,6.0μm时,得到器件关键尺寸对维持电压的影响如表2所示。N-LVTSCR的维持电压分别为1.98 V,2.11 V,2.27 V,EP-LVTSCR的维持电压分别为4.50 V,4.84 V,5.17 V。
图表编号 | XD0078705900 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.08.15 |
作者 | 陈磊、李浩亮、刘志伟、刘俊杰、杨波 |
绘制单位 | 郑州大学信息工程学院、郑州大学信息工程学院、电子科技大学微电子与固体电子学院、郑州大学信息工程学院、郑州大学信息工程学院 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |