《表2 器件关键尺寸对维持电压的影响》

《表2 器件关键尺寸对维持电压的影响》   提示:宽带有限、当前游客访问压缩模式
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《内嵌PMOS的高维持电压LVTSCR设计》


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式中:De,Db为晶体管发射极和基极的扩散系数;Wb和We为基极宽度与发射极宽度;Nb和Ne为基极与发射极的掺杂浓度[12]。由式(2)可知,增加晶体管的基区宽度,可以降低发射效率,电流增益也会随之降低,器件的维持电压则会提高。所以调节EP-LVTSCR的D8尺寸为1.5μm,2.6μm,4.2μm,相应N-LVTSCR的D9尺寸为3.3μm,4.4μm,6.0μm时,得到器件关键尺寸对维持电压的影响如表2所示。N-LVTSCR的维持电压分别为1.98 V,2.11 V,2.27 V,EP-LVTSCR的维持电压分别为4.50 V,4.84 V,5.17 V。