《表2 不同厚度PNP添加层对器件性能的影响》

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《钙钛矿太阳能电池中TiO_2材料制备及应用进展》

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Shahiduzzaman等[8]研究发现TiO2表面的深度俘获态导致了器件的漏电流和载流子复合度的增加。该研究小组采用溶液制备法制备n-苯[60]富勒吡咯烷啶（PNP）修饰TiO2薄膜，作为钙钛矿太阳能电池的电子缓冲层。在PNP/TiO2界面层，在增强光电流的条件下，增强了器件的表面能特性，实现了表面形貌的修饰。与传统的PCBM相比，PNP具有较高的电子迁移率和较强的疏水性。钙钛矿太阳能电池的光电转化效率从5.12%提高至8.23%，短路电流密度从11.90mA/cm2提高至21.44mA/cm2，填充因子从0.49提高至0.56。研究表明，在PNP厚度为10nm条件下，钙钛矿太阳能电池的光电性能最佳。不同厚度PNP添加层对器件性能的影响[8]见表2。