《表1 缓冲层厚度不同TFT器件电学参数对比》

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《基于a-IGZO型OLED的顶栅自对准TFT结构中遮光层的研究》

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TFT器件的遮光层往往由金属制成，对沟道的开关状态有一定影响，而遮光层与背沟道之间隔一层缓冲层，理论上缓冲层加厚可以减轻底栅对背沟道的影响，从而使器件性能更稳定。表1中对比了缓冲层厚度为200μm和400μm的器件电性参数，其中遮光层与源极信号相连，老化条件为VG=+30 V，T=60℃，老化时间为1 h。从表1中可以看到，缓冲层厚400μm的TFT器件迁移率更高，亚阈值摆幅SS更好，Vth更正漂。缓冲层厚度对TFT器件的可靠性影响不大。遮光层与有源层距离增加，可以减轻遮光层对沟道的影响，使器件电性更好。建议TFT器件缓冲层厚度选择400μm，器件的电性表现较好，也不会过多增加TFT基板的厚度。