《表1 制程实验条件：栅极坡度角对TFT器件制程的影响》

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《栅极坡度角对TFT器件制程的影响》

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实验共分3部分，如表1所示。对于区块一，通过不同的磁控溅射时间获得栅极膜厚差异，通过变更刻蚀液种类和刻蚀时间获得不同的栅极坡度角。待该组样品完成FGI成膜后，在每个样品上均匀取9个部位，进行SEM测试，用最终的均值反应台阶覆盖率。对于区块二，DICD和FICD，采用TFT产线的HTCD设备进行测试。HTCD设备采用非接触成像与像素分析的技术手段进行测量，每张玻璃基板测试54个点位，并获得54个数据，通过54个数据的平均值反应测试情况。区块三中的样品属于15.6HADS的产品，在实际量产过程中遇到栅极腐蚀的问题，通过重庆京东方的良率管理系统（Yield Management System，YMS）确定腐蚀发生的位置，对这些位置进行标注，并切片取样；同时对未发生栅极腐蚀的位置进行标注并取样；然后对两组样品进行SEM测试，对比栅极坡度角，获得栅极腐蚀与栅极坡度角的关系。