《表2 工艺制程参数：具备深背部通孔的砷化镓集成无源器件的制作技术》

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《具备深背部通孔的砷化镓集成无源器件的制作技术》

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采用网络分析仪对器件的射频特性进行量测，电感的Q值可以取得一个较佳的水准（不低于70）；器件的插入损耗及回波损耗可以达到在3.3～4.2 GHz频带内，插入损耗（IL)<1.6dB，带内回波损耗<-30 dB的良好效果（如图10所示）。