《表3 55nm技术代金属线和通孔的电迁移测试结果对比Tab.3 Comparison of electromigration test of metal wires and through hole

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《55nm双大马士革结构中电镀铜添加剂的研究》


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本文采用国内某半导体制造公司的成熟55nm技术代工艺完成本文采用的添加剂配比所镀的图形片的铜后道工艺集成，并完成芯片切割和封装，然后采用CASCADE公司的多功能探针台S300对封装后的芯片分别进行了金属线条和通孔的电迁移测试，具体结果如表3所示.

图表编号XD0017553700    严禁用于非法目的
绘制时间2018.08.01
作者曾绍海、林宏、陈张发、李铭
绘制单位上海集成电路研发中心有限公司、上海集成电路研发中心有限公司、上海集成电路研发中心有限公司、上海集成电路研发中心有限公司
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