《表3 器件特性量测结果：具备深背部通孔的砷化镓集成无源器件的制作技术》
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表2总结了工艺制程的参数及器件特征尺寸。基于此制程参数，其器件特性的参数汇总如表3 所示。根据不同的影响需求，调整电容介质层的厚度，可以得到两种不同的电容表现。
| 图表编号 | XD003267300 严禁用于非法目的 |
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| 绘制时间 | 2019.12.10 |
| 作者 | 陈智广、林伟铭、李立中、庄永淳、马跃辉、黄光伟、吴靖、吴淑芳 |
| 绘制单位 | 福联集成电路有限公司、福联集成电路有限公司、福联集成电路有限公司、福联集成电路有限公司、福联集成电路有限公司、福联集成电路有限公司、福联集成电路有限公司、福联集成电路有限公司 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
