《表2 改进后数据对比:推进氧化制程对芯片参数均匀性的影响与改善》

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《推进氧化制程对芯片参数均匀性的影响与改善》


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改进与验证:推进氧化过程增加阻散流板,在石英舟两端各放3~5个同样大小假片;气路系统技术改造,质量流量计替代手旋浮子流量计,手动开关改为自动化微控。改进前后数据对比结果见表2