《表1 恒温区两端增加阻散流板对比结果》

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《推进氧化制程对芯片参数均匀性的影响与改善》


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固态源淀积过程在炉内恒温区进气端放置散流板,出气端加阻流板。做两整批晶圆对比验证,验证结果见表1。