《表3 PVP+BST/PMMA结构介电层OTFT器件电学性能参数统计》

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《纳米颗粒复合介电层柔性有机薄膜晶体管的制备与性能研究》

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图9为不同栅介电层OTFT器件的输出特性曲线，栅压VGS扫描范围从0～-40 V，扫描步长为10 V，源漏偏压VDS为0～-40 V。PVP+BST/PMMA介电层的OTFT在栅压-40 V时IDS为-6.6μA，相比单层PVP介电层OTFT提高了4μA，比PVP+BST介电层提高了5μA，这是由于PMMA使介电层表面更加平整、光滑，减少电荷陷阱态，从而载流子能在介电层表面顺利传输，并且关态电流减小到到0.5 nA，较小的关态电流可以降低器件的功耗，提高器件的开关比。图10为器件的转移特性曲线，可以看出，PVP介电层掺入钛酸锶钡纳米颗粒后介电层电容上升从而降低了器件的阈值电压，由原先的-5.7 V（图10(a）)下降到-0.5 V（图10(b）)，加入PMMA修饰层后器件的阈值电压略有升高，但是电流开关比从102上升至104，增大了100倍。不同介电层OTFT电学性能参数如表2所示，可以得知，相比PVP介电层，PVP+BST/PMMA结构介电层OTFT的迁移率、阈值电压和电流开关比皆得到有效改善，为了更加可靠说明PVP+BST/PMMA结构介电层对于OTFT器件的性能有较好改善，本实验对多个器件进行了电学性能的测试，如表3所示，可以看出虽然每个OTFT器件之间的性能有存在偏差，但对于单层PVP栅介电层结构的OTFT来说，经过介电层的改善后器件的开关比、阈值电压和迁移率的性能得到了明显提升。