《表1 不同介电层的性能参数》

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《纳米颗粒复合介电层柔性有机薄膜晶体管的制备与性能研究》

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图7为介电层的泄漏电流密度，介电层的泄漏电流大小反映出薄膜的绝缘性能的好坏，这对OTFT器件的开关比和稳定性有着十分重要的影响[18]，可以看出在PVP中加入钛酸锶钡纳米颗粒后泄漏电流上升，在电压为-5 V时电流密度达到3.8×10-2A/cm2，泄漏电流上升是由于颗粒在PVP中发生聚合并且分布不均匀导致[19]，当在复合介电层上加入PMMA修饰层后在-5 V电压下泄漏电流降至1.6×10-7A/cm2，这是由于PMMA具有较高的电阻系数（2×1015Ω/m），所以PMMA修饰有效改善了介电层的绝缘性能。图8为三种介电层的电容特性曲线，测试频率1 k Hz～1 MHz，扫描电压-1～1 V。从图中可以发现，PVP薄膜的电容较低并且介电常数只有2.2，低介电常数的PVP加入高介电常数的钛酸锶钡纳米颗粒后薄膜的电容明显上升，加入PMMA修饰层后由于薄膜厚度上升导致电容略微下降。表1列出了这三种介电层的性能参数，通过对比可以看出PVP+BST/PMMA结构的介电层电容得到提高，泄漏电流小的优点，适合作为薄膜晶体管的栅介电层。