《表1 部分器件结构以及工艺参数》

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《应变Si纳米NMOSFET单粒子效应》

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图1是单轴应变Si器件单粒子效应原理图。表1列出了器件结构以及工艺参数。表2给出了仿真单粒子效应重离子模型的参数，其中，let_f和wt_hi分别是线性能量传输值以及半径。方向（0，1）为单粒子垂直注入单轴应变Si器件。随着集成电路继续发展，集成电路的特征尺寸由深亚微米进入纳米级，为了更精确的研究纳米尺度的器件，本文利用Sentaurus TCAD软件进行器件仿真，同时添加了小尺寸模型，SRH和Auger复合，禁带变窄及迁移率模型等。