《表2 根据两种结构仿真得到的像素电学性能和电势图对比》

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《高深宽比光阻层对1.0μm像素性能影响研究》

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从表2像素的仿真结果可以看出，采用光阻-1的像素FWC达到了9 639e-，但是同样lag也达到了11e-，而采用光阻-2的像素FWC虽然只有8 351e-，但是表现出相对较好的lag性能，只有1.2e-。同时，我们对比了作为反映像素间隔离强度的参数Isolation，光阻-2也表现出比光阻-1更强的隔离效果，可以预期到更好的像素间电学溢出（blooming）性能。从像素仿真的电势图上也可以看出，光阻-1的电势梯度较差，在像素深度1μm的区域依然存在较高的电势，从而导致lag较差，而光阻-2虽然表现出相对较好的电势梯度，但依然可以看出在像素深度1μm的区域会有较轻微的lag风险，所以我们基于光阻-2做了进一步的离子注入工艺优化。