《表2 两种光敏二极管像素电路噪声计算对比表》
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《高帧频高灵敏度线列PIN-CMOS图像传感器研究》
为了实现高性能探测器,三个电容的选择需综合考虑。当负载电容CL为1pF,积分电容为5fF,对于90μm×90μm的光电二极管,分别采用PIN结构和pn结构得到的像素电路噪声如表2所示。
图表编号 | XD00183281800 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.12.01 |
作者 | 陈世军、王欣、丁毅、施永明、解宁 |
绘制单位 | 中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室、中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室、中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室、中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室、中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室 |
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