《表1 两种光敏二极管结电容对比》
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《高帧频高灵敏度线列PIN-CMOS图像传感器研究》
为了简化分析，选取光电二极管的横截面为正方形，即W=L。根据式（1）和表1中的值，可以得出像素尺寸（L）和结电容（Cpd）的关系曲线，如图3所示。
| 图表编号 | XD00183280200 严禁用于非法目的 |
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| 绘制时间 | 2020.12.01 |
| 作者 | 陈世军、王欣、丁毅、施永明、解宁 |
| 绘制单位 | 中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室、中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室、中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室、中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室、中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室 |
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